Исследована электролюминесценция в области длин волн 1.00--1.65 мкм в диодах на основе кремния, легированного эрбием и кислородом, Si : (Er,O), как в режиме пробоя p-n-перехода, так и в режиме прямого тока. Измерялась электролюминесценция при комнатной температуре с лицевой и обратной поверхностей диодов. В спектрах электролюминесценции некоторых диодов в режиме пробоя p-n-перехода наблюдался пик, соответствующий краю полосы поглощения кремния. Появление пика обусловлено инжекцией неосновных носителей заряда из металлического контакта в кремний и последующей межзонной излучательной рекомбинацией. Интенсивность зона-зонной рекомбинации эффективно возрастает после достижения определенной, зависящей от технологических условий, плотности тока. Пороговая плотность тока уменьшается с ростом температуры постимплантационного отжига Si : (Er,O)-диодов в диапазоне900-1100oC.
Емельянов А.М., Николаев Ю.А., Соболев Н.А. Природа краевого пика электролюминесценции в режиме пробоя Si : (Er,O)-диодов // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 453

Исследовано влияние поверхностных обработок на основные характеристики экситонов в приповерхностной области полупроводника (напримереGaAs), а также пространственное распределение основных характеристик экситонов (напримереCdS). Наосновании анализа экспериментальных данных показано, что нанесение на поверхность полупроводника диэлектрических слоев с меньшей диэлектрической проницаемостью приводит к усилению степени экситон-фононного взаимодействия и увеличению энергии связи экситона. Возникновение на поверхности слоя с повышенной дефектностью, степень которой увеличивается после определенных поверхностных обработок, дает в результате снижение энергии связи экситона в приповерхностной области, а также уменьшение фактора экситон-фононного взаимодействия.
Литовченко В.Г., Дмитрук Н.Л., Корбутяк Д.В., Сариков А.В. Влияние поверхности на экситонные характеристики полупроводников // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 447

Для определения электрофизических свойств поверхности и зонных параметров в приповерхностных слоях полупроводниковых твердых растворов (TlBiSe2)1-x-(TlBiS2)x при комнатной температуре использован метод эффекта поля в электролитах. Определены закон дисперсии и эффективная масса электронов зоны проводимости, концентрация ионизованной донорной примеси и положение уровня Ферми. Проведено сопоставление экспериментальных и теоретически рассчитанных вольт-фарадных характеристик.
Шевченко О.Ю., Яфясов А.М., Божевольнов В.Б., Иванкив И.М., Перепелкин А.Д. Эффект поля всистеме электролит--твердый раствор (TlBiSe2)1-x--(TlBiS2)x // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 443

Исследованы причины уменьшения показателя идеальностиn и увеличения обратного напряженияUr структур с барьером Шоттки Au/n-n+-GaAs в результате обработки в атомарном водороде. Установлено, что вследствие обработки n-n+-GaAs в атомарном водороде существуют два процесса, приводящих к увеличению обратного напряженияUr и уменьшению коэффициента идеальностиn структур с барьером Шоттки. Впервом случае увеличение Ur и уменьшениеn происходит в результате понижения концентрационного профиля и образования обратного градиента концентрации ионизированной мелкой донорной примеси вn-слое, что вызвано пассивацией примеси водородом. Вовтором случае увеличениеUr и уменьшениеn связано с образованием тонкого (~8 нм) полуизолирующего приповерхностного слоя. Вобоих случаях увеличениеUr и уменьшениеn вызвано увеличением эффективной ширины потенциального барьера на контакте металл--полупроводник в результате изменения формы концентрационного профиля ионизированной мелкой донорной примеси.
Торхов Н.А. Причины изменения статических вольт-амперных характеристик структур сбарьером Шоттки Me/n-n+-GaAs пригидрогенизации // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 437

Показано, что в гетероструктурах с границей раздела (001) и кристаллической решеткой типа алмаза и сфалерита полное снятие напряжений несоответствия за счет введения двух взаимно перпендикулярных семейств 60-градусных дислокаций несоответствия возможно лишь в случае одинаковых типов их винтовых составляющих. Впротивном случае требуется введение дополнительных семейств дислокаций несоответствия, что увеличивает вероятность образования пронизывающих дислокаций в эпитаксиальной пленке. При неоптимальном протекании процесса, когда вводятся два взаимно перпендикулярных семейства с противоположными типами винтовых составляющих, происходит накапливание избыточной энергии дальнодействующих сдвиговых напряжений. Примерами неоптимального введения дислокаций несоответствия является работа модифицированных дислокационных источников Франка--Рида и источников Хейгена--Шранка. Выполнено моделирование процесса релаксации и проведены экспериментальные исследования.
Труханов Е.М., Колесников А.В., Василенко А.П., Гутаковский А.К. Влияние типа винтовой составляющей дислокаций несоответствия наобразование пронизывающих дислокаций вполупроводниковых гетероструктурах // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 309

Исследованы зависимости чувствительности поверхностно-барьерных гетероструктур типа p-Cu1.8S/n-AIIBVI от энергии возбуждающих квантов света или ускоренных моноэнергетических потоков электронов. Предложена методика определения и найдены экспериментально значения средней энергии внутренней ионизацииvarepsilon для прямозонных соединений AIIBVI. Показано, что связьvarepsilon с шириной запрещенной зоны полупроводника выражается зависимостью varepsilon=2.5Eg.
Комащенко А.В., Комащенко В.Н., Колежук К.В., Шереметова Г.И., Фурсенко В.Д., Бобренко Ю.Н. Энергия внутренней ионизации всоединениях A IIB VI // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 305

Проведено моделирование проникновения водорода в Si p-типа и формирования водородсодержащих дефектов в процессе жидкостного химического травления. Рассчитанные профили распределения водородсодержащих дефектов сравнивались с измеренными. Показано, что в кристаллах с низкой концентрацией ловушек необходимо учитывать релаксацию распределения водорода после окончания травления. Учет такой релаксации позволяет описать все экспериментальные профили без предположения об аномально высоком коэффициенте диффузии. Сдругой стороны, предположение о большом коэффициенте диффузии водорода также позволяет описать экспериментальные профили и существенно уменьшает влияние релаксации. Показано, что сравнительный анализ профилей распределения водородсодержащих центров позволяет определять количество содержащихся в них атомов водорода как в случае, когда эти профили в основном формируются в процессе травления, так и в условиях, когда они существенно модифицируются релаксационной диффузией водорода.
Феклисова О.В., Якимов Е.Б., Ярыкин Н.А. Моделирование проникновения водорода вкремний p-типа впроцессе жидкостного химического травления // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 301

С помощью оже-спектроскопии высокого разрешения срегистрацией спектров непосредственно ссильно нагретого образца (до 2100 K) изучено интеркалирование атомов алюминия под двумерную графитовую пленку на металле. Показано, что эффективность этого процесса существенно возрастает, если пленка носит не сплошной, а островковый характер и часть поверхности металла свободна от графита. Сделан вывод, что именно края графитовых островков являются теми дефектами, через которые интеркалирующие атомы проникают под графитовую пленку.
Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Эффективность интеркалирования атомов алюминия под монослойную и субмонослойную двумерную графитовую пленку на металле // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 295

Рассмотрено равновесное распределение подвижных ионов в МДП (металл--диэлектрик--полупроводник) структурах с ионными поверхностными состояниями награнице раздела диэлектрик--полупроводник. Представлен расчет квазистатических вольт-амперных характеристик ионных токов в МДП структурах. Заселенность поверхностных состояний ионами описана с помощью распределения Гиббса.
Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. Сегрегация подвижных ионов на границах раздела диэлектрик--полупроводник вМДП структурах // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 205

Для системы Si1-xGex, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии с комбинированными источниками Si--GeH4 в условиях эффективного заполнения поверхностных связей продуктами распада гидридов, измерены коэффициенты сегрегации атомов германия, что позволило в свою очередь впервые на основании разработанной кинетической модели роста определить для рассматриваемого метода эпитаксии отношение коэффициентов встраивания атомовSi иGe в растущий слой Si1-xGex. Для структур Si--Si1-xGex, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии с комбинированными источниками Si-GeH4, для широкой области значений технологических параметров проведено сопоставление роли различных механизмов (пиролиза, сегрегации и других) в формировании профиля металлургических границ слоев.
Орлов Л.К., Ивина Н.Л. Роль эффекта поверхностной сегрегации вформировании резких границ слоев вгетерокомпозициях Si/Si1-xGex, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии скомбинированными источниками // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 199